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本申请公开了一种晶圆对准方法、装置及半导体器件,方法包括:在出现对准失败时,从已采集的整个晶圆的平整度图中获取位于预设位置的曝光场内的平整度数据,预设位置的曝光场内包含多种类型的对准标记,且在使用预设类型的对准标记进行对准时出现对准失败;判定位于预设位置的曝光场内的平整度数据是否符合预设条件;若不符合预设条件,则从平整度图中读取位于预设位置的曝光场内除预设类型对准标记之外的其他类型对准标记,并从成功读取的其他类型的对准标记中选择一种其他类型的对准标记进行晶圆对准,以避免由于晶圆平整度图发生局部焦
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114384771 A
(43)申请公布日 2022.04.22
(21)申请号 202011142250.0
(22)申请日 2020.10.22
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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