一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺.pdf

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本发明涉及碳化硅陶瓷生产技术领域，尤其涉及一种碳化硅陶瓷真空浇筑工艺。包括S1：配料称量；碳化硅是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦、木屑和食盐作为原料通过电阻炉高温冶炼而成，碳化硅化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，SiC陶瓷的优异性能与其独特结构密切相关。SiC是共价键很强的化合物，通过炉芯放在配料制成的底盘上，中间略凸起以适应在炉役过程中出现的塌陷，炉芯上部铺放混好的配料，炉芯上部铺放混好的配料同时也放非品质料或生产未反应料，炉子装好后形成中间高、两边低的状态，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114380601 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202111624965.4 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人扬州中卓泵业有限公司