一种基于欧姆区域图案化再生长技术的GaN HEMT器件及方法.pdfVIP

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2023-05-07 发布于北京
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一种基于欧姆区域图案化再生长技术的GaN HEMT器件及方法.pdf

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本发明涉及一种基于欧姆区域图案化再生长技术的GaNHEMT器件及方法，方法包括：在衬底层上制备方块电阻异质结结构；去除欧姆再生长区域内的缓冲层和预设深度的势垒层；在图形化阵列区域内所暴露的势垒层上生长n+GaN层；去除自终止刻蚀区域内的n+GaN层；在隔离区域注入等离子体；在n+GaN层上淀积金属，以制备源电极和漏电极；在n+GaN层、隔离体和势垒层上制备钝化层；在处于栅极区域的势垒层上制备淀积金属。本发明可以明显降低器件的导通电阻。本发明的欧姆再生长区域图案化处理增加了器件欧姆区域金属与再生

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114373679 A (43)申请公布日 2022.04.19 (21)申请号 202111508350.5 (22)申请日 2021.12.10 (71)申请人西安