一种两级放大的低频磁阻传感器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种两级放大的低频磁阻传感器及其制备方法.pdf

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本发明提供一种两级放大的低频磁阻传感器，包括基底、磁电阻传感元件、MEMS谐振器、两级放大调制结构，所述磁电阻传感元件设于所述基底的上端面，所述MEMS谐振器安装于所述基底上，所述两级放大调制结构包括两个第一磁力线聚集器和第二磁力线聚集器，所述两个第一磁力线聚集器对称设于所述磁电阻传感元件的两侧，所述第二磁力线聚集器设于所述MEMS谐振器表面，并在所述MEMS谐振器的带动下沿上下向振动。通过增添了一对磁力线聚集器，使得传感器感受的直流或低频磁场在被调制到高频场的同时，传感器的灵敏度也得到了很大的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114415086 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210012289.3 (22)申请日 2022.01.06 (71)申请人中国科学院空天信息创新研究院