碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统.pdf

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碳化硅MOSFET结温在线测量方法及系统，包括绘制不同电流等级下碳化硅MOSFET器件动态温敏电参数值VDTSEP1、VDTSEP2与结温Tj的关系曲线；根据器件动态温敏电参数值、负载电流I和结温Tj的关系构建解析模型；根据器件动态温敏电参数值VDTSEP1和VDTESP2、负载电流I和结温Tj的解析模型以及待测工况下动态温敏电参数VDTSEP1和VDTESP2的值，求取器件不同工况在线运行的负载电流I、确定器件在线运行的结温。本发明能间接测量碳化硅MOSFET在任何工况下的结温，为碳化硅在实际

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114414975 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210047622.4 (22)申请日 2022.01.17 (71)申请人华北