一种降低银纳米线导电薄膜方阻的处理方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种降低银纳米线导电薄膜方阻的处理方法.pdf

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本发明公开了一种降低银纳米线导电薄膜方阻的处理方法，主要包括以下步骤：(1)将银纳米线导电墨水涂布在基材上，干燥后得到银纳米线导电薄膜；(2)将导电薄膜的银纳米线导电层面经过包含有机物还原剂淋洗液淋洗，再经过水和/或醇溶液淋洗去除残留的还原剂，烘烤后制备得到低方阻的透明导电薄膜。通过在涂布过程中增加对银纳米线导电层的二级淋洗工序，将银纳米线层内部分有机物还原成游离状态的聚合物或单体，然后被流动的淋洗液带走，可降低银纳米线之间的接触电阻从而降低方阻，且有利于银纳米线导电薄膜在下游制程中的搭接性能，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420344 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210133907.X (22)申请日 2022.02.14 (71)申请人苏州诺菲纳米科技有限公司