一种SOT-MRAM磁隧道结的制备方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种SOT-MRAM磁隧道结的制备方法.pdf

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本发明公开了一种SOT‑MRAM磁隧道结的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上依次层叠形成SOT层、自由层、隧道结阻挡层、参考层、钉扎层、覆盖层、硬掩模层；光刻，图形化硬掩模层；以接近法向的入射角进行逐层刻蚀，直到参考层被完全刻蚀；以更大的入射角度进行清理刻蚀，去除侧壁上的再沉积物，直到隧道结阻挡层被全部刻蚀；进行侧壁钝化处理；重复步骤S4和S5，直到SOT层上表面自由层完全被刻蚀为止，最终形成SOT‑MRAM磁隧道结结构。本发明通过SOT层上的刻蚀及侧壁清理，减少或避免MTJ的金属再沉

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420837 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210060081.9 (22)申请日 2022.01.19 (71)申请人致真存储（北京）科技有限公司