一种二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种二维硫化铼-硫化钼垂直异质结构的制备方法.pdf

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本发明公开了一种二维硫化铼‑硫化钼垂直异质结构的制备方法，采用化学气相沉积法，以Si/SiO2为衬底，金属铼箔(Re)为铼源，金属钼箔(Mo)为钼源，金属铼箔平铺在金属钼箔的一端表面上，衬底倒扣在金属钼箔上，与硫蒸气反应，在衬底上制备得到了以多层ReS2为底层、双层MoS2为顶层的二维ReS2/MoS2垂直异质结构。所得二维ReS2/MoS2垂直异质结材料，是由两种不同尺寸的晶体堆叠而成的晶体，呈现出显著的发光性质，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域，在高效光探测器领域中有潜在的应用。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420567 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202111638376.1 (22)申请日 2021.12.29 (71)申请人杭州电子科技大学