Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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Nand flash存储器的坏块处理方法、电子设备及存储介质.pdf

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本申请实施例提供的一种Nandflash存储器的坏块处理方法、电子设备和存储介质，所述坏块处理方法包括：读取Nandflash存储器中的坏块数量N；当坏块数量N大于预设阈值时，输出第一提示信息至所述电子设备的显示单元，所述第一提示信息用于提示需要更换Nandflash存储器；和/或，根据待写入数据的重要程度信息对待写入数据进行处理，并将处理后的待写入数据写入Nandflash存储器。本申请实施例对Nandflash存储器中的坏块数量进行预警，以解决现有技术中用户无法获知Nandfla

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114415961 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210074358.3 (22)申请日 2022.01.21 (71)申请人珠海奔图电子有限公司