发光二极管的外延结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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发光二极管的外延结构及其制备方法.pdf

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本发明提供一种发光二极管的外延结构及其制备方法，该外延结构包括：蓝宝石衬底及在所述蓝宝石衬底上依次向上层叠生长的ALN缓冲层、重掺Si的N型层、应力释放层、多量子阱发光层及重掺Mg的P型层；其中，所述多量子阱发光层是由量子阱层和量子垒层交替层叠而成的周期性结构，所述多量子阱发光层的单个周期结构中的所述量子垒层生长在所述量子阱层上方，所述量子阱层为高In组分的阱层，所述量子垒层在单个周期结构中的生长温度先递增再递减，H2的通入量先递增再递减，所述量子垒层用于减少同一周期结构中量子阱层的In的偏析及

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420806 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210321480.6 (22)申请日 2022.03.30 (71)申请人江西