半导体结构的制作方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括，提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域上形成第一器件，第一器件包括第一栅极结构，第一栅极结构包括第一功函数层；在第二区域上形成第二器件，第二器件包括第二栅极结构，第二栅极结构包括第二功函数层；第一栅极结构的顶面与第二栅极结构的顶面平齐。在本公开中，第一器件的第一栅极结构和第二器件的第二栅极结构在同一刻蚀制程中形成，第一栅极结构和第二栅极结构的制程高度相等，降低了形成第一栅极结构和第二栅极结构的工艺难度，提高了半

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420638 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210058165.9 (22)申请日 2022.01.19 (71)申请人长鑫存储技术有限公司