一种窄带隙半导体器件及其制备方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约2.33万字
约 20页
2023-05-08 发布于北京
举报
版权申诉

一种窄带隙半导体器件及其制备方法.pdf

1、本文档共20页，其中可免费阅读19页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种具有高开关比的窄带隙半导体器件及其制作方法。该器件具有一支撑衬底，其上依次具有一窄带隙半导体层、一栅介质层和一栅极堆叠结构，栅极堆叠结构两侧具有一L形自对准侧墙，其水平部分与位于其下的栅介质层沿窄带隙半导体层所在平面分别向外侧的源极区和漏极区延伸一定长度。进一步在上述侧墙外侧的水平部分和上述窄带隙半导体层上沉积有金属，后者用作半导体器件的源极和漏极。该器件通过栅极自对准工艺形成侧墙，可以降低沟道与源漏极区接界处的电场强度，以此增加漏极端带间隧穿势垒的宽度，使得在大偏压下工作时能较好

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114429989 A (43)申请公布日 2022.05.03 (21)申请号 202011176009.X H01L 29/423 (2006.01) (22)申请日