一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法.pdf

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一种钴镧共掺杂可见光响应BiVO4光电极及其制备方法，属于纳米功能材料领域。步骤：1)在溶解有碘化钾、硝酸铋的水溶液中加入对苯醌、乙醇充分搅拌；2)以上述溶液为电解液，电沉积5～15min，可在导电衬底上沉积得到铋氧碘(BiOI)薄膜；3)再将乙酰丙酮氧钒溶于二甲基亚砜中，加入适量的钴源、镧源搅拌混合均匀；4)移取上述混合有钒源、钴源和镧源的二甲基亚砜溶液均匀涂覆于铋氧碘(BiOI)薄膜上；5)转移至马弗炉中以400‑550℃温度煅烧1～2h；6)取出样品并将其浸泡于氢氧化钠溶液中30‑60mi

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114411168 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210078129.9 (22)申请日 2022.01.24 (71)申请人中国矿业大学地址