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本发明提供了一种K掺杂硒化亚铜纳米片阵列结构材料、制备方法及其应用。制备方法为:将泡沫铜倾斜置于含硒源、碱源、还原剂和碱金属盐的混合溶液中,于反应釜中进行水热反应,制备得到。本发明将K+离子掺杂进入Cu2Se纳米片后能够有效调节原子之间的电子迁移,K转移电子给Se产生富电子的Se位点,对线式*CO(*COL)和桥式*CO(*COB)中间体有较强的吸附作用,促进C‑C偶联形成*COCHO中间体,显著提高电催化二氧化碳还原(CO2ER)成乙醇的催化活性。同时掺杂K+离子能够增加催化剂的电化学活性面积
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114408877 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202210100667.3
(22)申请日 2022.01.27
(71)申请人 安徽师
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