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本发明公开了一种具有定位效应的三氮唑并吡啶类受体、其聚合物以及它们的应用。所提供的聚合物其结构式如式I所示。以本发明三氮唑并吡啶类聚合物为半导体层制备的有机场效应晶体管(OFETs)有较高的空穴迁移率(最高为9×10‑3cm2V‑1s‑1),在有机场效应晶体管中具有良好的应用前景。本发明提供的具有定位效应的三氮唑并吡啶(简称TP)类受体及其聚合物,通过实验证明了吡啶上的氮原子具有定位作用,并进一步研究了该类聚合物在OFETs中的应用。本发明具有定位效应的三氮唑并吡啶类聚合物进一步扩展了高性能的半
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114409682 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202210133574.0
(22)申请日 2022.02.14
(71)申请人 中国科学院化学研究所
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