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本发明提供了一种沟槽栅IGBT器件,在P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区之间引入欧姆接触介质层,通过欧姆接触介质层将P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区进行隔离,隔离后可以有效的防止P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区沿着沟槽方向的扩散,从而可以消除P+型欧姆接触区与N+型欧姆接触区之间距离不能太小的限制,降低阈值电压变化的风险,提升器件的导通电流和RBSOA能力。同时,由于欧姆接触介质层的存在,设计上不需要考虑器件的P+型欧姆接触区和N+型欧姆接触区扩散对IGBT沟道宽度的影响,降低了设计难度和风
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114420752 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202111630323.5
(22)申请日 2021.12.28
(71)申请人 江苏中科君芯科技有限公司
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