一种形成IGBT电场终止层的方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种形成IGBT电场终止层的方法.pdf

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本发明提供一种形成IGBT电场终止层的方法，涉及IGBT工艺技术领域。该形成IGBT电场终止层的方法，包括以下步骤：S1、衬底准备；S2、栅氧化层的生长；S3、多晶淀积并光刻；S4、P型体区注入；S5、P型体区推进；S6、N+注入并推进；S7、介质层淀积；S8、接触孔光刻和金属溅射；S9、背面P型集电区注入；S10、背面集电区退火；S11、背面多次高能质子注入；S12、高能质子注入退火；S13、背面集电极金属溅射。本发明，采用多次高能质子注入，然后通过在350度‑450度的温度和N2条件下退火，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114429904 A (43)申请公布日 2022.05.03 (21)申请号 202111554721.3 (22)申请日 2021.12.17 (71)申请人权芯微电子科技无锡有限公司