一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法，包含：导电基底，所述导电基底的在其上表面镀有半透明的ITO薄膜；顶电极，所述顶电极为含有镓铟共晶液态合金的针尖，以及包覆在所述针尖外表面的Ga氧化物层；有机分子膜，所述有机分子膜连接于所述导电基底和所述顶电极之间，所述有机分子膜是金属配合物分子的单分子层；固化胶，对所述导电基底、所述顶电极、所述有机分子膜封装。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420841 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210040989.3 (22)申请日 2022.01.14 (71)申请人厦门大学地址 36