半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质.pdf

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本公开提供一种半导体器件的测试方法、装置、设备及存储介质。半导体器件的测试方法包括：获取栅极电压与漏极电流的关系曲线；根据栅极电压与漏极电流的关系曲线，获得跨导；根据跨导和栅极电压，获得跨导与栅极电压的关系曲线；根据跨导与栅极电压的关系曲线，获得峰值跨导值和相邻跨导值；确定相邻跨导值与峰值跨导值的比值是否小于预设值；若是，停止测试。采用本公开的半导体器件的测试方法，通过所获得峰值跨导值和与其相邻的跨导值的比值小于预设值，可以准确确定最大跨导值，以能准确根据最大跨导值来确定半导体器件的阈值电压。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114414974 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210047617.3 (22)申请日 2022.01.17 (71)申请人长鑫存储技术有限公司