电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.16万字
约 9页
2023-05-08 发布于北京
举报
版权申诉

电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置.pdf

1、本文档共9页，其中可免费阅读8页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置，所述方法包括：(1)在CVD炉内的硅棒生长完成后，关闭原料进口和尾气出口，向炉内吹扫保护气体，以便对所述硅棒降温；(2)当所述硅棒的温度降至600‑800℃时，加速向炉内吹扫保护气体，以便对所述硅棒快速降温；(3)当所述硅棒的温度降至60℃以下时，停止吹扫保护气体，将底座套筒板分别与炉筒和底座套筒解除固定；(4)将所述炉筒吊起，旋转所述底座套筒板，将所述硅棒切倒，以便使所述硅棒倒在所述底座套筒板上破碎。本发明减少生产能耗，减少了生产工序，提高生产

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114405636 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202210134709.5 (22)申请日 2022.02.14 (71)申请人江苏鑫华半导体材料科技有限公司