一种高温自补偿SOI电阻的制造方法及结构.pdfVIP

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2023-05-08 发布于北京
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一种高温自补偿SOI电阻的制造方法及结构.pdf

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本发明公开一种高温自补偿SOI电阻的制造方法及结构，属于集成电路制造领域。通过在SOICMOS工艺中增加的一步FOX工艺，形成氧化层结构，将POLY电阻和Well电阻实行电气隔离，同时将负温度系数的POLY电阻和正温度系数的Well电阻并联出来，构成高温自补偿SOI电阻结构，此高温自补偿SOI电阻在高温环境的温度系数为500ppm，优于工艺提供的单一阱电阻或者多晶电阻，逼近了金属薄膜电阻200ppm的能力。该高温自补偿SOI电阻结构具备温度自补偿特性，在‑55～225℃环境中电阻变化很小，是基准

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114420687 A (43)申请公布日 2022.04.29 (21)申请号 202111615225.4 (22)申请日 2021.12.27 (71)申请人中国电子科技集团公司第五十八研