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本公开提供了一种高摆幅的增益自举反相器,包括:级联反相器包括:MOS器件M1、M2、M3及M4;第一折叠式共源共栅增益自举电路包括:MOS器件M5、M7、M9及M11;第二折叠式共源共栅增益自举电路,包括:MOS器件M6、M8、M10及M12;其中,第一折叠式共源共栅增益自举电路20与M3构成电流‑电压反馈环路,用于提高M3的输出阻抗;第二折叠式共源共栅增益自举电路30与M4构成电流‑电压反馈环路,用于提高M4的输出阻抗。本公开还提供了一种高摆幅的增益自举反相器在高精度低功耗sigma‑delt
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114421952 A
(43)申请公布日 2022.04.29
(21)申请号 202210071359.2
(22)申请日 2022.01.21
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
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