一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法.pdf

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本发明涉及真空微电子器件的技术领域，更具体地，涉及一种可寻址的纳米冷阴极电子源阵列及其制作方法，底部阴极电极条平行排布于衬底顶部，底部栅极电极条平行排布于第一绝缘层顶部，实现底部阴极电极条和底部栅极电极条的分层独立布线，且底部阴极电极条与底部栅极电极条垂直排布，顶部阴极电极通过第一刻蚀通孔与底部阴极电极条相连，顶部栅极电极通过第二刻蚀通孔与底部栅极电极条相连，实现器件可行列寻址的电子发射，本发明的可寻址的纳米冷阴极电子源阵列，实现每一行顶部栅极电极的并联，每一个顶部栅极电极的正常工作不受其他顶部

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496686 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111633265.1 (22)申请日 2021.12.28 (71)申请人中山大学地址 510275 广