一种电容器孔和DRAM的制造方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种电容器孔和DRAM的制造方法.pdf

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本发明涉及一种电容器孔和DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了如何通过SLP1/SLP2缩减孔的临界尺寸的问题。该方法包括：在半导体衬底上方顺序形成待刻蚀层、第一硬掩模层、第一转移图案层和第一光刻胶图案；将第一光刻胶图案转移至第一转移图案层；沉积第一侧墙材料层并刻蚀为第一侧墙图案；将第一侧墙图案转移至第一硬掩模层；去除第一侧墙图案的凸起并在第一硬掩模层图案上方顺序形成第二硬掩模层、第二转移图案层和第二光刻胶图案；以类似方式形成第二硬掩模层图案；第一硬掩模图案和第二硬掩模图案反相为第三硬掩

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496928 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011254333.9 (22)申请日 2020.11.11 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10