一种基于多孔宽禁带半导体材料的高温大功率超级电容器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种基于多孔宽禁带半导体材料的高温大功率超级电容器及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种基于多孔宽禁带半导体材料的高温大功率超级电容器及其制备方法，它包括正极、负极、隔膜和电解液，正极、负极为多孔宽禁带半导体单晶，正极、负极叠加在一起，正极、负极之间设置有隔膜隔，电容器内部填充电解液，为对称型超级电容器。本发明的大功率超级电容器同时具有优异的高温稳定性和出色的功率密度，更优的比电容量和高温容量保持率，能够在150℃高温下稳定服役，远高于目前大多数超级电容器使用温度，同时兼具高的能量‑功率密度(测试基于多孔N掺杂4H‑SiC单晶片超级电容器在高温环境下的储能性能，结果显

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114464462 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210167128.1 H01G 11/86 (2013.01) (22)申请日 2022.02.