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本发明涉及一种晶体管及其制造方法和DRAM器件,属于半导体技术领域,解决了现有鳍高度增加导致存储器结构的厚度增加,进而短沟道效应改善会受限制的问题。晶体管包括:半导体衬底;鳍片,位于所述半导体衬底上,其中,所述鳍片包括两端的源/漏区,以及夹置于所述源/漏区之间的至少两个沟道区;STI,位于所述半导体衬底上,且至少位于所述鳍片两侧,所述鳍片的顶部高于所述STI的顶部;栅堆叠,跨过所述沟道区与所述鳍片相交。多鳍状沟道区增加了沟道区与栅堆叠之间的接触面积,进而能够有效地改善短沟道效应。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114497036 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202011256680.5
(22)申请日 2020.11.11
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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