半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本申请公开一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：提供基底，在所述基底内形成具有第一深度的第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁表面形成牺牲层；沿形成有所述牺牲层的所述第一沟槽刻蚀所述基底，形成位于所述第一沟槽下方的第二沟槽；在所述第二沟槽的内壁形成隔离层；去除所述牺牲层，暴露出所述第一沟槽的侧壁；在所述第一沟槽的侧壁表面形成栅介质层。所述半导体结构的性能得到提高。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496795 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210038158.2 (22)申请日 2022.01.13 (66)本国优先权数据