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本发明提供一种具有埋入式位线的半导体装置及其制备方法,本发明能够在衬底内形成“S”型埋入式位线,相较于传统的非埋入式的位线,本发明埋入式位线不需要在位线两侧沉积绝缘层,因此位线的线宽可以显著降低,而且能显著避免非埋入式位线倒塌,扭曲造成的缺陷及良率损失。另外,由于位线埋入衬底内,使得后续形成的电容接触孔的高度大大降低,电容接触孔直接在绝缘层上形成,极大的简化了电容接触孔的制造工艺,减少了电容接触孔的工艺难度和缺陷,有效的提高良率。同时,本发明直接省去了位线接触垫(BLC)的制造,极大的减少了制造
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114496929 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202011261602.4
(22)申请日 2020.11.12
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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