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本发明提供一种自旋轨道矩磁性随机存储器及其制备方法,自旋轨道矩磁性随机存储器包括衬底、第一导电结构、拓朴结构、磁性隧道结、第二导电结构及第三导电结构;通过与第一导电结构垂直设置,且第一端与第一导电结构电连接、第二端与第三导电结构电连接的拓朴结构,及在拓朴结构外围设置电连接的磁性隧道结,以及在磁性隧道结的外围设置电连接的第二导电结构,可提高自旋轨道矩磁性随机存储器的存储能力,降低自旋轨道矩磁性随机存储器的功耗,以扩大自旋轨道矩磁性随机存储器的应用。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114497359 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202210072138.7
(22)申请日 2022.01.21
(71)申请人 上海积塔半导体有限
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