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本发明公开了一种基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管,弥补了传统铁电场效应二维晶体管在存内计算方面的不足。包括在衬底上依次由上至下竖直分布的顶栅电极层、顶部铁电层、二维半导体沟道层、底部铁电层、底栅电极层;源极、漏极分别位于顶部铁电层两侧。底栅电极、漏极、源极和顶栅电极层采用金属Au材料,二维半导体沟道层采用MoS2或MoTe2材料,底部铁电层和顶部铁电层均采用P(VDF‑TrFE)材料。本发明通过双铁电栅耦合效应对TMDC沟道进行电调控,实现对于TMDC沟道的非易失导电率调整。同时,双铁电栅二维
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114464681 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202210091286.3
(22)申请日 2022.01.26
(71)申请人 西安电子科技大学
地址 71007
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