半导体装置.pdfVIP

下载本文档

0
0
约5.33万字
约 49页
2023-05-09 发布于北京
举报
版权申诉

半导体装置.pdf

1、本文档共49页，其中可免费阅读48页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

半导体装置具备在表面形成有发射极电极、在背面形成有集电极电极的半导体元件(30)。集电极电极与配置于半导体元件(30)的背面侧的散热器(40)经由焊料(80)连接。在焊料接合部设有多个线片(90)。所有的线片(90)接合于散热器(40)的安装面(40a)，朝向半导体元件(30)突起。焊料(80)具有在俯视时与包含元件中心(30c)的半导体元件(30)的中央部分重叠的中央区域(80a)与将中央区域(80a)包围的外周区域(80b)。在外周区域，至少与半导体元件(30)的四角分别对应地配置有四个以上

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114503255 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202080069629.5 平野敬洋　坂井孝充　冈贤吾　 (22)申请日 2020.09.2