一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于四川
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一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法.pdf

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本发明涉及一种顶环被蚀刻量检测系统及方法、检测调整系统及方法，属于半导体刻蚀设备领域，解决了现有技术中刻蚀过程中顶环被等离子体蚀刻而引起晶圆边缘电场分布发生改变，从而使等离子体刻蚀方向发生改变造成刻蚀图案改变的问题。本发明公开了一种顶环被被蚀刻量检测系统，包括光学传感器，光学传感器包括发射器和接收器；发射器位于刻蚀区域的一侧，接收器位于刻蚀区域的另一侧；发射器发射检测光，接收器接收发射器发射的检测光；检测光穿过刻蚀区域，通过发射的检测光和接收的检测光的实时差值检测顶环被蚀刻量。实现了对顶环高度的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496689 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011253983.1 (22)申请日 2020.11.11 (71)申请人中国科学院微电子研