半导体结构的制作方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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半导体结构的制作方法及半导体结构.pdf

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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，包括提供第一晶圆，第一晶圆具有相对的第一面和第二面，且第一晶圆内具有第一导电结构，第一导电结构的一端位于第一晶圆内；沿第二面垂直于第一面的方向，对第一晶圆进行减薄处理，直至剩余的第一晶圆的厚度达到预设厚度已露出第一导电结构的一端，减薄处理包括至少一次膜层剥离处理，膜层剥离处理包括：对第二面进行氢离子注入，以在第一晶圆内形成含氢离子层；对第一晶圆进行加热处理，以使含氢离子层脱落。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496748 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210038564.9 (22)申请日 2022.01.13 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230