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本发明涉及,且公开了一种NAND存储器及其制作方法,包括以下步骤,S1、提供衬底,所述衬底的表面提供有多层材料层;S2、将材料层进行开沟,所述材料层的侧壁沉积有隔离层;S3、在隔离层的侧面形成多晶硅层,光刻阶梯成形,将多晶硅层进行通孔;S4、多晶硅层的孔内采用多种材料进行腐蚀,进行沉积,形成介质层,生产出NAND存储器。本发明通过开设高深宽比的沟,材料形成淀积层后进行腐蚀通孔,再打通多晶硅沟道,进行腐蚀后淀积众多层材料,有利于改善P离子的掺杂浓度,从而改善双峰效应,且本方法制作出来的NAND存储
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114497062 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202210073820.8
(22)申请日 2022.01.21
(71)申请人 蓝芯存储技术(赣州)有限公司
地址
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