基于MEMS技术的晶圆级原子气室加工方法及装置.pdfVIP

下载本文档

30
0
约1.29万字
约 10页
2023-05-09 发布于北京
举报
版权申诉

基于MEMS技术的晶圆级原子气室加工方法及装置.pdf

1、本文档共10页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供了一种基于MEMS技术的晶圆级原子气室加工方法及装置，包括：在单晶硅晶圆的正反两面沉积掩膜层；在正反两面的掩膜层上沉积胶层，对胶层进行光刻显影以形成气室图形；基于气室图形对光刻显影后的单晶硅晶圆进行硅通孔刻蚀；将单晶硅晶圆与玻璃圆片进行硅‑玻阳极键合；在气室腔体内填充碱金属化合物；将填充完碱金属化合物的第一硅‑玻组合体的气室腔体开口处的表面设置第二玻璃圆片，抽真空并填充缓冲气体，对第二硅‑玻组合体进行硅‑玻阳极键合；对硅‑玻阳极键合后的第二硅‑玻组合体的气室腔体内的碱金属原子进行还原反

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114477074 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202111583788.X (22)申请日 2021.12.22 (71)申请人北京自动化控制设备研究所地址 1