一种静电保护GGNMOS结构.pdfVIP

下载本文档

2
0
约7.91千字
约 9页
2023-05-09 发布于北京
举报
版权申诉

一种静电保护GGNMOS结构.pdf

1、本文档共9页，其中可免费阅读8页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请公开了一种静电保护GGNMOS结构，属于半导体器件及制造领域。基于SOI工艺，该结构引入一圈N型阱，并在N型阱中形成P型重掺杂区和N型重掺杂区交替的块状掺杂区，N型阱处的P型重掺杂区、N型阱、P型阱与源端处的N型重掺杂区形成SCR结构，打开泄放电流；N型阱处的P型重掺杂区、N型重掺杂区与漏端的N型重掺杂区短接形成阳极，源端的N型重掺杂区与栅端短接形成阴极，SCR结构用于ESD电压加到阳极时打开泄放电流，增加了额外的ESD电流泄放通道，提高了SOIGGNMOS的ESD防护能力。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497030 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210096916.6 (22)申请日 2022.01.27 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址