一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约9.61千字
约 11页
2023-05-09 发布于北京
举报
版权申诉

一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法.pdf

1、本文档共11页，其中可免费阅读10页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供一种改善金属栅高压器件可靠性的工艺方法，在衬底上形成包含栅氧层及多晶硅层的叠层；刻蚀叠层形成叠层结构；沉积覆盖叠层结构及被暴露出的衬底上的第一侧墙层；刻蚀侧墙层，将叠层结构顶部及衬底上表面暴露，在叠层结构的侧壁形成第一侧墙；在叠层结构的侧壁形成第二侧墙；刻蚀叠层结构，在叠层结构上形成多个狭槽；狭槽底部为多晶硅层；光刻胶回刻，形成覆盖衬底以及填充于狭槽的介质层；平坦化介质层；去除多晶硅层形成凹槽，并露出衬底上表面的栅氧层；在凹槽内填充金属，平坦化金属。本发明通过将多晶硅刻蚀与形成狭槽的工

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496919 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210097237.0 (22)申请日 2022.01.27 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址