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本发明公开了一种制造碳化硅晶体的装置及制造碳化硅晶体的方法,该制造碳化硅晶体的装置包括壳体、坩埚组件、籽晶组件、加热件和石墨件,壳体限定出容纳腔,坩埚组件包括石墨坩埚和设在石墨坩埚内的非石墨坩埚,非石墨坩埚用于承载助溶剂溶液,籽晶组件可升降配合在壳体内,且籽晶组件的一端伸入坩埚组件内,籽晶组件用于承载碳化硅晶体,加热件设在容纳腔内且环绕坩埚组件设置,石墨件可升降地配合在壳体内,石墨件的一端浸入助溶剂溶液内。该制造碳化硅晶体的装置能够降低碳化硅晶体的制造成本,延长纯石墨坩埚的使用寿命。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114481317 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202210102342.9
(22)申请日 2022.01.27
(71)申请人 北京青禾晶元半导体科技有限责任
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