具有TCR的STI结构的制作方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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具有TCR的STI结构的制作方法.pdf

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本申请公开了一种具有TCR的STI结构的制作方法，包括：进行第一次刻蚀，去除目标区域的硬掩模层和绝缘层，形成第一沟槽，绝缘层形成于衬底上，硬掩模层形成于绝缘层上；进行第二次刻蚀，在进行第二次刻蚀的过程中，通入的反应气体在第一沟槽的侧壁形成聚合物，使第一沟槽的侧壁底部的衬底的截面形貌为圆角，聚合物的沉积速率和第二次刻蚀的刻蚀速率的比值为1.5至2.5；进行第三次刻蚀，将第一沟槽向衬底下延伸，形成第二沟槽。本申请通过在刻蚀过程中通过通入反应气体形成聚合物，并通过控制控制聚合物的形成速率和第二次刻蚀的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496902 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210021181.0 (22)申请日 2022.01.10 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址