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本发明提供了一种纳米栅结构,所述纳米栅结构包括晶圆(1)及在晶圆上水平相间排列的第一介质隔离层(3C)与第二介质隔离层(4C)和第三介质隔离层(5C)以及第四介质隔离层(6)形成第一复合介质隔离层、纳米栅(10)、第一介质隔离层(3C)以及第二介质隔离层(4B)形成的第二复合介质隔离层、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7B)、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7A)与第六介质隔离层(8C)以及第七介质隔离层(9)形成的第三复合隔离层,还提供了其制备方法和应用。本发明的方法可以简化纳米尺度的栅的制备
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114496752 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202011269807.7
(22)申请日 2020.11.13
(71)申请人 中国科学院物理研究所
地址 100
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