半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，所述衬底包括隔离区和器件区，所述隔离区包括第一区和第二区；位于所述器件区上的若干第一鳍部和若干第二鳍部，所述第一鳍部还横跨于所述隔离区上，所述第二鳍部内具有位于所述隔离区上的隔离开口；位于所述隔离区上形成若干第一栅极结构；位于所述第一区上的第一开口；位于所述第一开口内的隔离结构。通过所述第一栅极结构为所述第二鳍部提供应力需求；通过所述隔离结构为所述第一鳍部提供应力需求。利用不同步骤形成所述第一栅极结构和所述隔离结构，使得最终所述第一鳍部和所述第二鳍部能够产

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497214 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011150285.9 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日 2020.10