一种外延生长温度测量方法以及外延设备温度校准方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种外延生长温度测量方法以及外延设备温度校准方法.pdf

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公开了一种外延生长温度测量方法以及外延设备温度校准方法，所述外延生长温度测量方法包括将待测衬底置于外延设备的腔体内进行外延生长；获取所述待测衬底在所述腔体内外延生长之后的当前对位标记参数；将所述当前对位标记参数与多个预设的标准对位标记参数进行对比，以获取所述腔体内的外延生长温度；其中，不同的标准对位标记参数对应不同的温度，与当前对位标记参数差异最小的标准对位标记参数所对应的温度为所述待测衬底的外延生长温度。本发明通过将当前对位标记的参数与标准对位标记的参数进行对比来测量外延生长温度，以避免温度计

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114481313 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210064387.1 (22)申请日 2022.01.20 (71)申请人厦门士兰集科微电子有限公司地址