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本发明涉及一种驱动电压和电阻可调的SiCMOSFET驱动控制电路,属于SiCMOSFET驱动技术领域,解决了现有技术难以同时保证高增益、结构简单、高稳定性、高效率的问题。该变换器包括控制芯片、SiCMOSFET器件、电源VG1~VG2、开关管S1~S6,电阻RG1~RG2;其中,控制芯片,用于输出开关管S1~S6控制信号至开关管S1~S6的栅极;开关管S1、S2的漏极分别与电源VG1的正极连接;开关管S3~S5的漏极分别与电源VG1的负极、电源VG2的负极连接,并接地;开关管S6的漏极与电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114499113 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202011263085.4
(22)申请日 2020.11.12
(71)申请人 北京机械设备研究所
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