一种改善多晶栅覆盖层上附着缺陷的外延方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种改善多晶栅覆盖层上附着缺陷的外延方法.pdf

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本发明提供一种改善多晶栅覆盖层上附着缺陷的外延方法，提供基底，位于基底上相互间隔的多晶栅；多晶栅之间为源漏外延区域；源漏外延区域形成有凹槽；在凹槽中通过添加HCl气氛外延形成种子层；在种子层上通过添加HCl气氛外延形成体层；在体层上外延形成帽层；通入HCl作为刻蚀气体，同时原位通入GeH4气氛催化加强刻蚀，使得帽层被回刻。本发明提供多晶栅覆盖层上改善附着缺陷的锗硅原位催化外延方法，包含种子层，以及体层和帽层。提升对源漏区薄膜和多晶栅覆盖区缺陷的刻蚀选择比，在回刻帽层时迅速将多晶栅覆盖层处的缺陷消

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496797 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210097229.6 (22)申请日 2022.01.27 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址