一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种GaN HEMT的ASM模型直流参数提取方法.pdf

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一种GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：1）给定器件的工艺参数；2）提取电容_电压关系曲线相关参数：通过逆导电容_漏电压曲线、输出电容_漏电压曲线、输入电容_漏电压曲线、栅极电容_栅电压曲线提取相关参数；3）提取电流_电压关系曲线相关参数：对关键部分漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取和用所有的漏极电流_漏电压曲线和漏极电流_栅电压曲线进行参数提取。本发明的GaNHEMT的ASM模型直流参数提取方法，能够降低参数提取次数，提高GaNHEM

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114462343 A (43)申请公布日 2022.05.10 (21)申请号 202210104833.7 (22)申请日 2022.01.28 (71)申请人北京华大九天科技股份有限公司地址