一种钨膜形成方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于四川
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一种钨膜形成方法.pdf

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本发明公开了一种钨膜形成方法，该方法包括：将半导体衬底置于工艺腔室中；向工艺腔室通入含硼气体进行浸润处理；反复交替执行成核层沉积步骤以及气体脉冲处理步骤，以在半导体衬底上形成成核层，其中，成核层沉积步骤包括：向工艺腔室依次通入含硼气体以及含钨气体；气体脉冲处理步骤包括：向工艺腔室通入含硼气体；形成成核层之后，向工艺腔室通入含钨气体以及氢气，在成核层上方形成钨膜。上述方案中，能够抑制钨膜形成过程中硼污染物层的生长，有效改善了成核层表面形态，减小了最终形成的钨膜电阻。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114496781 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011173341.0 (22)申请日 2020.10.28 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10