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本发明涉及材料发射率测量技术领域,尤其涉及一种材料低温半球发射率的测试系统及方法。该材料低温半球发射率的测试系统包括测试装置、真空泵、制冷装置以及控温装置,真空泵和制冷装置分别与测试装置相连,测试装置包括真空罩、屏蔽罩、辐射屏罩以及悬挂设置在辐射屏罩内部的样品台,样品台包括电加热片以及分别设置在电加热片两侧的两个金属片,各金属片背向电加热片的一侧分别设有被测样品涂层,且各金属片上分别设有温度计,电加热片和各温度计分别与控温装置相连。本发明提供的材料低温半球发射率的测试系统,可实现10K到300K
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114486981 A
(43)申请公布日 2022.05.13
(21)申请号 202011147230.2
(22)申请日 2020.10.23
(71)申请人 中国科学院理化技术研究所
地址 1
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