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本发明公开了一种超结高压器件结构及制造方法,属于半导体分立器件技术领域,解决了现有技术中超结MOSFET器件雪崩击穿时寄生BJT引起的二次击穿效应的问题。本发明具体技术方案为,通过在超结高压器件的trenchGate之间增加了并联的二极管结构,且此二极管结构采用了逆向的浓度掺杂分布,形成两个间隔的P+区以弱化轻掺杂P型区的电场。本发明改善了超结MOSFET二极管导通状态下的注入效率,减少了少子注入,反向回复时间和反向回复电荷都得到有效降低;一定程度上避免了寄生NPN结构的开启导致的雪崩耐量降低
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114464534 A
(43)申请公布日 2022.05.10
(21)申请号 202111645759.1
(22)申请日 2021.12.30
(71)申请人 龙腾半导体股份有限公司
地址 71
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