非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于四川
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非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法.pdf

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本发明涉及非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法，包括：（1）选用NaI、6LiX和TlX作为原料，再与脱氧剂混合后，置于坩埚中并密封；（2）将密封后的坩埚竖直置于晶体生长炉的中间位置，然后升温至700～1000℃并保温一定时间，使原料完全熔融；（3）设置固液界面的温度梯度为10～50℃/cm，坩埚下降速度为0.1～10mm/小时，开始锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的生长；（4）生长结束后，降至室温。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114481320 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202011255588.7 (22)申请日 2020.11.11 (71)申请人中国科学院上海硅酸盐研究所地址