一种硅基OLED制备阳极结构的方法.pdfVIP

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2023-05-09 发布于北京
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一种硅基OLED制备阳极结构的方法.pdf

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本发明公开了一种硅基OLED制备阳极结构的方法，属于显示技术领域。硅基OLED制备阳极结构的方法包括：步骤一：在硅基背板上生成阳极反射层，阳极反射层的相邻两个第一台阶之间存在间隙；步骤二：在阳极反射层背离硅基背板的一侧上生成第一预设厚度的像素限定层，像素限定层填充阳极反射层的间隙且厚度超出阳极反射层的上表面；步骤三：通过研磨工艺将像素限定层的表面进行研磨，使像素限定层背离阳极反射层的一端表面水平且不能露出阳极反射层，且像素限定层的整体厚度大于阳极反射层的整体厚度，再将像素限定层进行图形化贯通开设

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114497430 A (43)申请公布日 2022.05.13 (21)申请号 202210066242.5 (22)申请日 2022.01.20 (71)申请人昆山梦显电子科技有